IMBG120R090M1HXTMA1

Şəkil istinad üçündür, real şəkil əldə etmək üçün bizimlə əlaqə saxlayın

İstehsalçı hissəsi	IMBG120R090M1HXTMA1
İstehsalçı	IR (Infineon Technologies)
Təsvir	TRANS SJT N-CH 1.2KV 26A TO263
Kateqoriya	diskret yarımkeçirici məhsullar
Ailə	tranzistorlar - fets, mosfetlər - tək
Həyat dövrü:	New from this manufacturer.
Çatdırılma:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Ödəniş	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Məlumat vərəqi	IMBG120R090M1HXTMA1 PDF

Mövcudluq

InStock	466.828
Vahid qiymət	$ 14.47000

IMBG120R090M1HXTMA1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

IMBG120R090M1HXTMA1 Spesifikasiyalar

Növ	Təsvir
seriyası:	CoolSiC™
paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
hissə statusu:	Active
fet növü:	N-Channel
texnologiya:	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
mənbə gərginliyinə drenaj (vdss):	1.2 kV
cari - davamlı drenaj (id) @ 25 ° c:	26A (Tc)
sürücü gərginliyi (maks. rds, min rds açıq):	-
rds on (maksimum) @ id, vgs:	125mOhm @ 8.5A, 18V
vgs(th) (maksimum) @ id:	5.7V @ 3.7mA
qapı yükü (qg) (maksimum) @ vgs:	23 nC @ 18 V
vgs (maksimum):	+18V, -15V
giriş tutumu (ciss) (maksimum) @ vds:	763 pF @ 800 V
fet xüsusiyyəti:	Standard
enerji sərfi (maksimum):	136W (Tc)
əməliyyat temperaturu:	-55°C ~ 175°C (TJ)
montaj növü:	Surface Mount
təchizatçı cihaz paketi:	PG-TO263-7-12
paket / qutu:	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.