TW070J120B,S1Q

Şəkil istinad üçündür, real şəkil əldə etmək üçün bizimlə əlaqə saxlayın

İstehsalçı hissəsi	TW070J120B,S1Q
İstehsalçı	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Təsvir	SICFET N-CH 1200V 36A TO3P
Kateqoriya	diskret yarımkeçirici məhsullar
Ailə	tranzistorlar - fets, mosfetlər - tək
Həyat dövrü:	New from this manufacturer.
Çatdırılma:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Ödəniş	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

Mövcudluq

InStock	273
Vahid qiymət	$ 33.97000

TW070J120B,S1Q Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

TW070J120B,S1Q Spesifikasiyalar

Növ	Təsvir
seriyası:	*
paket:	Tube
hissə statusu:	Active
fet növü:	N-Channel
texnologiya:	SiCFET (Silicon Carbide)
mənbə gərginliyinə drenaj (vdss):	1200 V
cari - davamlı drenaj (id) @ 25 ° c:	36A (Tc)
sürücü gərginliyi (maks. rds, min rds açıq):	20V
rds on (maksimum) @ id, vgs:	90mOhm @ 18A, 20V
vgs(th) (maksimum) @ id:	5.8V @ 20mA
qapı yükü (qg) (maksimum) @ vgs:	67 nC @ 20 V
vgs (maksimum):	±25V, -10V
giriş tutumu (ciss) (maksimum) @ vds:	1680 pF @ 800 V
fet xüsusiyyəti:	Standard
enerji sərfi (maksimum):	272W (Tc)
əməliyyat temperaturu:	-55°C ~ 175°C
montaj növü:	Through Hole
təchizatçı cihaz paketi:	TO-3P(N)
paket / qutu:	TO-3P-3, SC-65-3

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.