IPB80N06S407ATMA2

Şəkil istinad üçündür, real şəkil əldə etmək üçün bizimlə əlaqə saxlayın

İstehsalçı hissəsi	IPB80N06S407ATMA2
İstehsalçı	Rochester Electronics
Təsvir	MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3-2
Kateqoriya	diskret yarımkeçirici məhsullar
Ailə	tranzistorlar - fets, mosfetlər - tək
Həyat dövrü:	New from this manufacturer.
Çatdırılma:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Ödəniş	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Məlumat vərəqi	IPB80N06S407ATMA2 PDF

Mövcudluq

InStock	717
Vahid qiymət	$ 0.58000

IPB80N06S407ATMA2 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

IPB80N06S407ATMA2 Spesifikasiyalar

Növ	Təsvir
seriyası:	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
paket:	Bulk
hissə statusu:	Active
fet növü:	N-Channel
texnologiya:	MOSFET (Metal Oxide)
mənbə gərginliyinə drenaj (vdss):	60 V
cari - davamlı drenaj (id) @ 25 ° c:	80A (Tc)
sürücü gərginliyi (maks. rds, min rds açıq):	10V
rds on (maksimum) @ id, vgs:	-
vgs(th) (maksimum) @ id:	4V @ 40µA
qapı yükü (qg) (maksimum) @ vgs:	56 nC @ 10 V
vgs (maksimum):	±20V
giriş tutumu (ciss) (maksimum) @ vds:	4.5 pF @ 25 V
fet xüsusiyyəti:	-
enerji sərfi (maksimum):	79W (Tc)
əməliyyat temperaturu:	-55°C ~ 175°C (TJ)
montaj növü:	Surface Mount
təchizatçı cihaz paketi:	PG-TO263-3-2
paket / qutu:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.