SISS10DN-T1-GE3

Şəkil istinad üçündür, real şəkil əldə etmək üçün bizimlə əlaqə saxlayın

İstehsalçı hissəsi	SISS10DN-T1-GE3
İstehsalçı	Vishay / Siliconix
Təsvir	MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S
Kateqoriya	diskret yarımkeçirici məhsullar
Ailə	tranzistorlar - fets, mosfetlər - tək
Həyat dövrü:	New from this manufacturer.
Çatdırılma:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Ödəniş	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Məlumat vərəqi	SISS10DN-T1-GE3 PDF

Mövcudluq

InStock	3.461
Vahid qiymət	$ 1.06000

SISS10DN-T1-GE3 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

SISS10DN-T1-GE3 Spesifikasiyalar

Növ	Təsvir
seriyası:	TrenchFET®
paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
hissə statusu:	Active
fet növü:	N-Channel
texnologiya:	MOSFET (Metal Oxide)
mənbə gərginliyinə drenaj (vdss):	40 V
cari - davamlı drenaj (id) @ 25 ° c:	60A (Tc)
sürücü gərginliyi (maks. rds, min rds açıq):	4.5V, 10V
rds on (maksimum) @ id, vgs:	2.65mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (maksimum) @ id:	2.4V @ 250µA
qapı yükü (qg) (maksimum) @ vgs:	75 nC @ 10 V
vgs (maksimum):	+20V, -16V
giriş tutumu (ciss) (maksimum) @ vds:	3750 pF @ 20 V
fet xüsusiyyəti:	-
enerji sərfi (maksimum):	57W (Tc)
əməliyyat temperaturu:	-55°C ~ 150°C (TJ)
montaj növü:	Surface Mount
təchizatçı cihaz paketi:	PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
paket / qutu:	PowerPAK® 1212-8S

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.