DF11MR12W1M1B11BOMA1

Şəkil istinad üçündür, real şəkil əldə etmək üçün bizimlə əlaqə saxlayın

İstehsalçı hissəsi	DF11MR12W1M1B11BOMA1
İstehsalçı	Rochester Electronics
Təsvir	IGBT MODULE
Kateqoriya	diskret yarımkeçirici məhsullar
Ailə	tranzistorlar - fets, mosfetlər - massivlər
Həyat dövrü:	New from this manufacturer.
Çatdırılma:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Ödəniş	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Məlumat vərəqi	DF11MR12W1M1B11BOMA1 PDF

Mövcudluq

InStock	83
Vahid qiymət	$ 120.00000

DF11MR12W1M1B11BOMA1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

DF11MR12W1M1B11BOMA1 Spesifikasiyalar

Növ	Təsvir
seriyası:	*
paket:	Bulk
hissə statusu:	Active
fet növü:	2 N-Channel (Dual)
fet xüsusiyyəti:	Silicon Carbide (SiC)
mənbə gərginliyinə drenaj (vdss):	1200V (1.2kV)
cari - davamlı drenaj (id) @ 25 ° c:	50A
rds on (maksimum) @ id, vgs:	23mOhm @ 50A, 15V
vgs(th) (maksimum) @ id:	5.5V @ 20mA
qapı yükü (qg) (maksimum) @ vgs:	125nC @ 5V
giriş tutumu (ciss) (maksimum) @ vds:	3950pF @ 800V
güc - maks:	20mW
əməliyyat temperaturu:	-40°C ~ 150°C (TJ)
montaj növü:	Chassis Mount
paket / qutu:	Module
təchizatçı cihaz paketi:	Module

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.